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現在量産されているパワーデバイスのほとんどは、Siを用いて製造されている。Siパワーデバイスは、Si集積回路とは構造および一部の製造プロセス条件が異なるものの、製造装置の多くは互換性があり、集積回路で開発された成果を適用することにより急速に性能が向上し、量産体制を確立してきた。一方、Siパワーデバイスは性能向上の限界が近いと言われ出した。そのため、パワーデバイスとしての優れた物性値を有するワイドギャップ半導体(WGS: WideGap Semiconductor)であるSiCおよびGaNを用いたデバイスが次世代パワーデバイスとして期待されている。実際に試作されたデバイスの特性は非常に良好である。

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