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 韓国Samsung Electronics社は、ファウンドリー事業で11nm FinFETプロセス「11LPP(Low Power Plus)」を追加した(ニュースリリース)。14nm FinFETプロセス「14LPP」のシュリンク版である。

 14LPPは同社のスマートフォン向けSoC「Exynos 8 Octa」や米Qualcomm Technologies社の同SoC「Snapdragon 820/821」などの製造に使われた(関連記事1)。11LPPは14LPPに比べて、同じ消費電力ならば15%性能が向上しチップ面積が10%縮小するという。

 Samsungは、すでに10nm FinFETプロセス「10LPE」での量産を始めており(関連記事2)、これでスマートフォンの最上位機種向けSoCを狙う。一方、今回の11nm FinFETプロセスはミッドレンジ~ハイエンドのメインストリーム機種向けSoCに最適だとしている。11LPPでの量産は2018年上期に開始する。

 今回の11nmプロセスの位置づけは、競合の台湾TSMCの12nm FinFETプロセス「12FFC」と同じと言える。16nm FinFETプロセス「16FFC」の改良版で、同じ回路を10%高速に、また30%低消費電力にできるという。ただし、チップ面積は16FFCで製造した時と同じとのことである(関連記事3)。TSMCも10nm FinFETプロセスがあるにもかかわらず12FFCを発表している。「SoCの新規性のアピール材料の1つとして、顧客から新プロセスで製造したいという要求がある」とTSMCは明かした。

2014年からEUVを使っている

 Samsungは今回、EUV露光を一部の層に使う7nmプロセス「7LPP」のスケジュールについても改めて発表した。すなわち、開発は予定通りに進んでおり、2018年下期に生産を開始する(関連記事2)。EUV露光については期待が高い一方で、実用性に対して懐疑的な見方が多いのも事実である。こうした見方に対するSamsungのメッセージが今回のリリースには含まれる。

 同社によれば、Samsungは2014年以来、20万枚以上のウエハーをEUVで処理し、経験を積み上げてきた。最近の成果としては、256MビットSRAMで80%の歩留まりを達成したという。

 なお同社は、今回発表した11LPPや7LPPを含めた最新のファウンドリーロードマップを、2017年9月15日に東京で開催の「Samsung Foundry Forum Japan」で説明する予定である。