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登壇した東芝 代表執行役副社長 ストレージ&デバイスソリューション社 社長の成毛康雄氏
登壇した東芝 代表執行役副社長 ストレージ&デバイスソリューション社 社長の成毛康雄氏

 「3次元フラッシュメモリーでは200層程度のメモリーセル積層にチャレンジする必要があるだろう」。東芝代表執行役副社長 ストレージ&デバイスソリューション社 社長の成毛康雄氏は、2016年12月に開催された半導体関連の展示会「SEMICON Japan2016」(東京ビッグサイト)の「半導体エグゼクティブフォーラム」の講演で、メモリーセルを3次元方向に積層する3次元フラッシュメモリー(3DNAND)の高密度化戦略を明らかにした。

 東芝の見立てでは、NANDフラッシュメモリーの市場規模(ビット量)は2015年から2020年までの5年間、平均年率40%を超えるペースで成長を続けるという。成長の牽引役は2つある。1つは、スマートフォン1台当たりのストレージ容量が堅調に増えていく見込みのモバイル用途である。もう1つは、データセンター向けの需要が旺盛なSSD用途だ。2020年時点では、モバイル用途とSSD用途でほぼ同程度のビット消費量となる見込みで、両者を合計するとNANDフラッシュメモリーの全ビット消費量の80%を超える2大用途と言える。

 もっとも、モバイル用途とSSD用途では、NANDフラッシュメモリーに求められる信頼性が大きく異なる(図1)。例えば、NANDフラッシュメモリーの書き換え回数については、モバイル用途では1000回程度で賄えるのに対し、データセンター向けSSDでは数万回が必要になる。成毛氏は今回、こうしたデータセンター向けSSDで求められる高い信頼性を確保するために最適なのが、3D NANDとの見解を明らかにした。

図1 3次元フラッシュで新市場を開拓
図1 3次元フラッシュで新市場を開拓
東芝は今後、大容量、高信頼性が要求される市場を3次元フラッシュメモリーで開拓していく方針である。
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