配線幅/配線間隔＝2µm/2µm回路の走査型電子顕微鏡画像（画像：三井金属鉱業）
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三井金属鉱業は、半導体パッケージの1種、パネルレベルのFan Outパッケージに向けた微細回路形成用材料「HRDP（High Resolution De-bondable Panel）」を開発した（図1）。ガラス基板（キャリア）の表面上にシード層用のCu薄膜を含む多層薄膜を形成したもの。500mm×500mmのHRDPを利用して、配線幅/配線間隔＝2µm/2µmの再配線層を実現できることを確認した。2019年からサーバーなどのネットワーク用途向けに少数量産の製品での採用を見込み、最終的にはスマートフォン向けのアプリケーションプロセッサー（AP）の半導体パッケージや、複数チップを搭載するシステムインパッケージ（SiP）への採用を目指す。初期の量産では10万m2/月の生産量を予定する。2020～2021年に本格量産に入る予定。
図1 三井金属鉱業が開発した「HRDP（High Resolution De-bondable Panel）」
左が回路形成前のHRDP、右が回路形成後（a）。1層目だけではなく2層目でも配線幅/配線間隔＝2µm/2µmを実現している（b）。なおガラスキャリアは使い捨てだという。（右の写真：三井金属鉱業）
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