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 ソニーセミコンダクタソリューションズは、100Gビット級の集積化が可能とするクロスポイント構造の抵抗変化型メモリー(ReRAM)技術を開発した。2017年6月に京都で開催された、半導体(VLSI)関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」(VLSIシンポジウム)で発表したもの。DRAMとNANDフラッシュメモリーの間の集積度・コスト・性能などのギャップを埋めるストレージ・クラス・メモリー(SCM)としての利用を想定する。

 ソニーが開発したのはCuイオンベースのReRAMである。メモリーセルは、1セレクターと1抵抗素子から成る、いわゆる1S1R型。メモリーセルの選択素子としてトランジスタではなくセレクターを採用することで、メモリーセル面積が4F2(Fは最小加工寸法)と小さいクロスポイント型を採用できた。これにより、メモリーセルの積層が可能になり、さらなる大容量化の道筋が立った。