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ソニーセミコンダクタソリューションズは、100Gビット級の集積化が可能とするクロスポイント構造の抵抗変化型メモリー(ReRAM)技術を開発した。2017年6月に京都で開催された、半導体(VLSI)関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」(VLSIシンポジウム)で発表したもの。DRAMとNANDフラッシュメモリーの間の集積度・コスト・性能などのギャップを埋めるストレージ・クラス・メモリー(SCM)としての利用を想定する。

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