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Si IGBTに比べて、インバーターといった電力変換器で生じる電力損失を大幅に削減できるSiC MOSFET。だが、SiC MOSFETの潜在力を引き出す上で、「積年の課題」があった。三菱電機はその解決にメドを付けた。低いオン抵抗と長い「短絡許容時間(短絡時に素子が破壊されるまでの時間)」を両立させる、新しい素子構造を開発したのである。

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