PR

Si IGBTに比べて、インバーターといった電力変換器で生じる電力損失を大幅に削減できるSiC MOSFET。だが、SiC MOSFETの潜在力を引き出す上で、「積年の課題」があった。三菱電機はその解決にメドを付けた。低いオン抵抗と長い「短絡許容時間(短絡時に素子が破壊されるまでの時間)」を両立させる、新しい素子構造を開発したのである。

この記事は有料会員限定です

「日経エレクトロニクス」定期購読者もログインしてお読みいただけます。

日経クロステック有料会員になると…

専門雑誌7誌の記事が読み放題
注目テーマのデジタルムックが読める
雑誌PDFを月100pダウンロード

1/31まで日経電子版セット2カ月無料


日経クロステックからのお薦め

初割 電子版セット 2カ月無料