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 米Intel社と米Micron Technology社は共同で、「3D XPoint Technology」と呼ぶ次世代不揮発性メモリー技術を発表した。NANDフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、1000倍書き換え寿命が長い。しかもNANDフラッシュと異なり、ランダムアクセスメモリーとして利用可能で、同様の性質を持つDRAMに比べて記録密度が10倍高いという、頭抜けた性能をたたき出す技術だという。しかも、試作チップは、20nmプロセスを使った128Gビット品と驚きの完成度で登場した。

 3D XPointは、技術面、応用面、事業面のいずれにおいても、見どころと謎の多い技術である。半導体業界ではその正体を巡って、さまざまな憶測を呼んでいる。

 今回、同メモリーの将来性とその登場による波及効果を考えた(表1)。

表1 「新型メモリー、3D XPointとは何者か」をテーマにしたテクノ大喜利での回答
表1 「新型メモリー、3D XPointとは何者か」をテーマにしたテクノ大喜利での回答
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