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　米Wolfspeed社は、オン抵抗が10mΩと低い＋900V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET「CPM3-0900-0010A」を発売した。同社独自のプレーナー型MOSFET技術「C3M」で製造した。nチャネル品である。最大定格電流は196A（＋25℃における値）と大きい。電気自動車（EV）のパワートレインを構成するインバーターに向ける。米環境保護庁（EPA）が定める燃費規格に基づいて評価すると、インバーターの損失を78％削減できる。このため、「発売した素子を使えば、走行距離や、使用する電池容量、EVの車両デザインに新しい設計オプションを手に入れられる」（同社）という。

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