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 米Wolfspeed社は、オン抵抗が10mΩと低い+900V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET「CPM3-0900-0010A」を発売した。同社独自のプレーナー型MOSFET技術「C3M」で製造した。nチャネル品である。最大定格電流は196A(+25℃における値)と大きい。電気自動車(EV)のパワートレインを構成するインバーターに向ける。米環境保護庁(EPA)が定める燃費規格に基づいて評価すると、インバーターの損失を78%削減できる。このため、「発売した素子を使えば、走行距離や、使用する電池容量、EVの車両デザインに新しい設計オプションを手に入れられる」(同社)という。

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