オランダNXP Semiconductors社はドハティーアンプに最適化したGaN（窒化ガリウム）製のRFパワートランジスタを4製品発売した。SiC（炭化ケイ素）上にGaNパワートランジスタ素子を形成したものだ。既存のRFパワートランジスタに比べると、対応する周波数帯域を高められると同時に、効率や出力電力、ロバスト性などを高められるという。対応する周波数帯域は製品によって異なるが、4つの製品で1.805G〜3.600GHzをカバーできる。電圧定在波比（VSWR）は10：1を超える値まで耐えられるとしている。第4世代（4G）や第5世代（5G）の無線通信方式に対応したインフラ装置やなどに向ける。
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