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51dBmと高いピーク電力に対応したRFスイッチIC
51dBmと高いピーク電力に対応したRFスイッチIC
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 米Peregrine Semiconductor社は、シングル・イベント・ピーク電力が51dBm(LTE)と高いRFスイッチIC「PE42823」を発売した(ニュースリリース)。無線インフラ機器をフィールドで取り付けする際のミスや故障などで発生したサージ現象から、後段に接続するRFレシーバー回路を保護する用途に向ける。

 単極双投(SPDT:Single Pole Dual Throw)タイプのRFスイッチICである。アンテナ(ANT)端子と、送信(TX)端子、受信(RX)端子を備える。同社独自のSOI技術「UltraCMOS」で製造した。対応する周波数帯域は700M〜6GHz。入出力いずれも、特性インピーダンスは50Ωである。入力の第3次インターセプトポイント(IP3)は70dBm(標準値)。入力の第2次インターセプトポイント(IP2)は105dBm(標準値)。入力の1dB利得圧縮ポイントは43dBm(3.801G〜6GHzにおける標準値)。アイソレーション特性は、受信(RX)経路において43dB(2.7GHzにおける標準値)、送信(TX)経路において34dB(2.7GHzにおける標準値)である。制御信号は、電圧振幅が+1.8Vもしくは+3.3VのTTLレベルに対応する。ブロッキングキャパシターの外付けは不要である。

 電源電圧は+2.3〜5.5V。消費電流は200μA(最大値)。静電気放電(ESD)耐圧は、人体帯電モデル(HBM)で4.5kVを確保した。パッケージは、外形寸法が3mm×3mm×0.75mmの16端子QFN。動作温度範囲は−40〜+105℃。すでに量産出荷を始めている。1万個購入時の米国での参考単価は5.43米ドルである。評価キットも用意している。