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 米Alpha and Omega Semiconductor社は、オン抵抗を低減したバッテリー(2次電池)保護用パワーMOSFET「AOC3862」を発売した。2個のnチャネル型MOSFETをドレイン共通で接続したものだ。耐圧は+12Vである。ソース-ソース間のオン抵抗(Rss(on))は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに2.38mΩ(標準値)、+3.8Vのときに2.5mΩ(標準値)、+2.5Vのときに3.2mΩ(標準値)である。パッケージは、実装面積が3.55mm×1.77mmと小さいAlphaDFNである。「低オン抵抗化と小型化を実現したことで、電圧ドロップと温度上昇を最小限に抑えると同時に、実装面積の削減を達成できる」(同社)としている。スマートフォンなどに搭載する大容量バッテリーパックに向ける。

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