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 米Vishay Intertechnology社は、実装面積が5mm×6mmと小さい「PowerPAK SO-8L」パッケージに封止したパワーMOSFETを3製品発売した。+600V耐圧の「SiHJ8N60E」と、+650V耐圧の「SiHJ6N65E/SiHJ7N65E」である。いずれもnチャネル型で、スーパージャンクション構造を採用する。同社のパワーMOSFET製品群「Eシリーズ」に含まれるものだ。TO-252(DPAK)に封止していた従来品に比べると、実装面積と実装高さの両方を約半分に削減できる。さらに、リードレスのDFNパッケージ封止品と比較すると、発売した製品はガルウイング型の端子を採用しているため、実装後の接続信頼性を改善できるという。HID(High Intensity Discharge)ランプの駆動回路や、LED照明器具、通信/産業/民生機器向けスイッチング電源、コンピューター向けACアダプターなどに向ける。

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