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 三菱電機は、飽和出力電力が220W(53.4dBm)と高いGaN(窒化ガリウム)製HEMT(High Electron Mobility Transistor)「MGFS53G27ET1」を開発し、2016年11月1日にサンプル出荷を開始する。対応する周波数範囲は2.5G〜2.7GHz。最大ドレイン効率は74%と高い。GaN材料の採用と、トランジスタ構造の最適化で実現したという。第4世代(4G)の移動体通信システム向けマクロセル基地局に向ける。マクロセル基地局とは、半径が数k〜25kmと広い通信エリアを対象にするものだ。「マクロセル基地局向けでは、74%というドレイン効率は業界トップ」(同社)。ドレイン効率が高いため、通信設備の冷却機能を簡略化できると同時に、基地局の小型化と低消費電力化を達成できるとしている。

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