三菱電機は、飽和出力電力が220W(53.4dBm)と高いGaN(窒化ガリウム)製HEMT(High Electron Mobility Transistor)「MGFS53G27ET1」を開発し、2016年11月1日にサンプル出荷を開始する。対応する周波数範囲は2.5G〜2.7GHz。最大ドレイン効率は74%と高い。GaN材料の採用と、トランジスタ構造の最適化で実現したという。第4世代(4G)の移動体通信システム向けマクロセル基地局に向ける。マクロセル基地局とは、半径が数k〜25kmと広い通信エリアを対象にするものだ。「マクロセル基地局向けでは、74%というドレイン効率は業界トップ」(同社)。ドレイン効率が高いため、通信設備の冷却機能を簡略化できると同時に、基地局の小型化と低消費電力化を達成できるとしている。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステックからのお薦め
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。