三菱電機は、飽和出力電力が220W（53.4dBm）と高いGaN（窒化ガリウム）製HEMT（High Electron Mobility Transistor）「MGFS53G27ET1」を開発し、2016年11月1日にサンプル出荷を開始する。対応する周波数範囲は2.5G〜2.7GHz。最大ドレイン効率は74％と高い。GaN材料の採用と、トランジスタ構造の最適化で実現したという。第4世代（4G）の移動体通信システム向けマクロセル基地局に向ける。マクロセル基地局とは、半径が数k〜25kmと広い通信エリアを対象にするものだ。「マクロセル基地局向けでは、74％というドレイン効率は業界トップ」（同社）。ドレイン効率が高いため、通信設備の冷却機能を簡略化できると同時に、基地局の小型化と低消費電力化を達成できるとしている。
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