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GaNパワー半導体を搭載した60W出力E級アンプ
GaNパワー半導体を搭載した60W出力E級アンプ
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 米Efficient Power Conversion(EPC)社は、+200V耐圧のGaN(窒化ガリウム)製FETを搭載した最大60W出力のE級(クラスE)パワーアンプ開発ボード「EPC9083」を発売した(ニュースリリース)。ワイヤレス給電/充電やLIDAR(Laser Imaging Detection And Ranging)、プッシュプルコンバーター、電流モードのD級(クラスD)アンプなどの用途に向ける。対応するスイッチング周波数は最大で15MHzと高い。ワイヤレス給電/充電で使われる6.78MHzで使用できる。

 GaN製FETは、同社の最新世代品の「EPC2046」である。これを2個搭載した。最大ドレイン電流は連続時が11Aで、パルス時が55A。オン抵抗は25mΩと小さい。スイッチング損失が小さいため、高いスイッチング周波数での動作に適しているという。ダイ寸法は2.8mm×0.95mmである。

 開発ボードの入力電圧は、E級アンプ構成の場合に0〜+40V、D級アンプ構成の場合に0〜+35V、プッシュプル構成の場合に0〜+80Vである。制御信号は+7〜12V。スイッチングノードでの出力電流は、それぞれのGaN製FETで4Aである。すでに出荷を始めており、米国での参考単価は158.13米ドルである。