PR
ソースにケルビン接続を採用した600VパワーMOSFET
ソースにケルビン接続を採用した600VパワーMOSFET
[画像のクリックで拡大表示]

 米Vishay Intertechnology社は、ソース電極にケルビン接続を採用した+600V耐圧のパワーMOSFETを発売した(ニュースリリース)。ケルビン接続を採用したことで、大きな電流が流れるメイン経路と、ゲート駆動信号のリターン経路を分離できる。この結果、ループインダクタンスの影響を回避することが可能になり、スイッチング周波数や雑音耐性を高められるという。さらに、パッケージ(PowerPAK 8x8)のドレイン電極の面積を大きくしたことで、熱抵抗を削減したことも特徴である。通信機器やサーバー、コンピューター機器、照明器具、産業機器などの電源回路に向ける。

 nチャネル品である。最大ドレイン電流とオン抵抗などの違いで4製品を用意した。「SiHH26N60E」は最大ドレイン電流が25Aで、オン抵抗が135mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。「SiHH21N60E」は最大ドレイン電流が20Aで、オン抵抗が176mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。「SiHH14N60E」は最大ドレイン電流が16Aで、オン抵抗が228mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。「SiHH11N60E」は最大ドレイン電流が11Aで、オン抵抗が339mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)である。
 
 例えば、SiHH26N60Eのそのほかの特性は以下の通り。ゲート電荷量は77nC(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)。同社によると、オン抵抗とゲート電荷量の積である性能指数(FOM:figure of merit)は極めて低いという。このため適用した電源回路のスイッチング損失と導通損失を低減できる。入力容量は2815pF(標準値)。出力容量は125pF(標準値)。帰還容量は7pF(標準値)。ゲート抵抗は0.5Ω(標準値)である。

 パッケージの外形寸法は、8mm×8mm×1mm。接合部とパッケージ(ドレイン電極)との熱抵抗は0.48℃/W(標準値)。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。価格は明らかにしていない。