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オン抵抗が80mΩと小さい1200V耐圧SiC MOSFET
オン抵抗が80mΩと小さい1200V耐圧SiC MOSFET
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 米Littelfuse社は、オン抵抗が80mΩ(標準値)と小さい+1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)製MOSFET「LSIC1MO120E0080シリーズ」を発売した(ニュースリリース)。同社が株式の51%を取得した米Monolith Semiconductor社が開発した製品である。SiC MOSFETの製品化は今回が初めてとなる。特徴は、「超高速なスイッチング用途に最適化した点にある。このため、高効率で高密度の電源装置を実現できる」(同社)という。IGBTの置き換えを狙う。具体的なアプリケーションとしては、太陽光発電向けインバーター装置や、スイッチング電源、無停電電源装置(UPS)、モーター駆動機器、高電圧対応のDC-DCコンバーターなどを挙げている。

 nチャネル品である。最大ドレイン電流は39A(+25℃における値)。ゲート-ソース間電圧は−5〜+20V。全ゲート容量は95nC(標準値)。入力容量は1825pF(標準値)。出力容量は75pF(標準値)。帰還容量は15pF(標準値)。ターンオン時のスイッチング損失は270μJ(標準値)。ターンオフ時のスイッチング損失は60μJ(標準値)。つまり1サイクル当たりのスイッチング損失は330μJ(標準値)である。パッケージは、3端子TO-247。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。