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表面実装に対応した+650V耐圧SiCダイオード
表面実装に対応した+650V耐圧SiCダイオード
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 東芝は、+650V耐圧のSiC(炭化ケイ素)ショットキー・バリアー・ダイオード(SBD)に表面実装対応品を6製品追加した(ニュースリリース)。これまで同社は、挿入実装パッケージ品を投入してきたが、今回初めて表面実装に対応したDPAK封止品を製品化した。DPAK封止品を採用することで、電子機器の小型化や薄型化を実現できるという。力率改善(PFC)回路や、マイクロインバーター回路、チョッパー回路、スイッチング素子のフリー・ホイール・ダイオードなどに向ける。具体的な用途としては、4K2Kに対応した薄型テレビや、複写機、通信基地局、パソコン用サーバー、太陽光発電用インバーターなどを挙げている。

 同社最新の第2世代のSiCダイオードチップを搭載した。第2世代チップのサージ電流耐量は電流定格の約7〜9.5倍と高く、順方向電圧(VF )と総電荷量(QC)の積である効率性能指数は第1世代チップの約2/3と小さいという。順電流の違いで6製品を用意した。最大2Aの「TRS2P65F」と、最大3Aの「TRS3P65F」、最大4Aの「TRS4P65F」と、最大6Aの「TRS6P65F」、最大8Aの「TRS8P65F」と、最大10Aの「TRS10P65F」である。

 例えば、順電流が最大2AのTRS2P65Fの特性は以下の通り。非繰り返しピーク順電流は19A(最大値)。順方向電圧は標準値が1.45V、最大値は1.60V。接合容量は85pF(標準値)。総電荷量は5.8nC(標準値)。順方向電圧と総電荷量の積である効率性能指数は8.4V・nC(標準値)と小さい。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。