PR

 韓国Samsung Electronics社は、High Bandwidth Memory(HBM)2仕様の4GバイトDRAMパッケージの量産を始めた(ニュースリリース1)。HBM2は、2016年1月12日に「JESD235A」として正式にJEDEC標準になったことが発表されている(ニュースリリース2)。

HBM2仕様のDRAMパッケージの構造 JEDECの図。
HBM2仕様のDRAMパッケージの構造 JEDECの図。
[画像のクリックで拡大表示]

 HBM2では、パッケージ内で最大8Gビットのメモリーダイを縦積みしてダイ間をTSV(Through Silicon Via)で接続することになる。Samsungは2014年8月に、4枚の4GビットDDR4型SDRAMダイを積層してTSVで接続した2GバイトDRAMパッケージを36個搭載する、64Gバイトのサーバー向けRDIMMを発表している(日経テクノロジーオンライン関連記事)。

 続いて、2015年11月には、4枚の8GビットDDR4型SDRAMダイを積層してTSVで接続した4GバイトDRAMパッケージを36個搭載する、128Gバイトのサーバー向けRDIMMを発表した(ニュースリリース3)。「今回のHBM2 DRAMパッケージは、SamsungにおけるDRAMへのTSV適用の最新のマイルストーンである」(同社)。