PR
4/1朝まで
どなたでも有料記事が読み放題「無料開放デー」開催中!

 半導体ファウンドリーのイスラエルTower Semiconductor社(ブランド名:TowerJazz)は、新たなSiGe BiCMOSプロセス「S4」を発表した(日本語ニュースリリース)。同社のSiGe BiCMOSプロセス群「TowerJazz SiGe Terabit Platform」のハイエンドプロセスで、1Tビット/秒級の有線通信ICの製造に向ける。

 発表によれば、米Google社関連の通信量は直近の7年間、年間75%の勢いで増加しており、50倍に膨れ上がったという。これに伴い有線通信のデータ量も劇的に増えており、それを支える高速ICのニーズが高まっているとする。

 TowerJazzは有線通信IC向けにSiGe BiCMOSプロセス群「TowerJazz SiGe Terabit Platform」を用意している。トランス・インピーダンス・アンプ(TIA)やレーザードライバーなどの製造に使われているという。これまでにHX、H2、H3と呼ぶプロセスを提供してきた。今回、H4とS4を加えた。

 HXとH2では10G~20Gビット/秒の通信速度に対応可能なトランジスタを、H3では100Gビット/秒の通信速度に対応可能なトランジスタをそれぞれ作ることができるという。なお、H3のトランジスタの最大発振周波数は280GHzだとする。H4やS4のトランジスタの最大発振周波数は300GHzを超えるという。高速だけでなく、低消費電力も点も特徴で、消費電力は最大で1/10に低減できるとする。

 今回のニュースリリースには、高速通信分野の同社の顧客として、米Broadcom社、米Inphi社、米M/A-COM Technology Solutions(MACOM)社、米Maxim Integrated社、米MaxLinear社、米Semtech社の名前が挙がっている。

 また、H3の適用事例が2つ紹介されている。1つが米University of California、IrvineのTIAである。このICを使って、NRZ信号で70Gビット/秒のデータレート達成し、消費電力は0.5mW/Hz以下だった。もう1つはフィンランドNokia社Bell Laboratoriesの112Gビット/秒トランシーバーである。このICを使い、56Gボーの4-PAM信号をシングルモードファイバー上で2km以上伝送できたという。