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 東京工業大学と理化学研究所(理研)、岡山大学は2016年4月25日、新しい2次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスターを開発したと発表した。良好な飽和特性とオン/オフ比104の電流制御特性を確認し、電子デバイス材料として優れた特性を示唆する結果を得たという。

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