東北大学は2016年6月2日、磁性半導体(Ga,Mn)Asが強磁性を発現する機構を解明したと発表した。(Ga,Mn)Asの電子の状態を光電子分光という手法で直接観測することに成功し、Asの結合軌道に注入されたホールキャリアが強磁性に重要な役割を果たすことを見出した。
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