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 産業技術総合研究所(産総研)は2016年9月5日、最先端の半導体製造プロセスで用いられるエッチング用フッ素系ガス成分を選択的かつ高感度(2ppmを1分以内)に検知できる検知剤を開発し、同検知剤を搭載したコンパクトな漏洩検知器を試作したと発表した。より高性能な次世代フッ素系エッチングガス成分や他のハロゲン系ガス成分にも適用可能と考えられるため、生体への影響が懸念されるガス成分のみ応答する漏洩検知技術として幅広い応用展開が期待される。

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