東京大学と東京工業大学らの研究グループは2016年12月20日、高速電子デバイスに使われるIII-V族化合物半導体（InAs）に鉄（Fe）原子を添加した混晶半導体(In,Fe)Asを作製し、(In,Fe)Asがn型で強磁性を示すと同時にその伝導帯（電子キャリアが存在するエネルギー帯）に大きな自発的スピン分裂が生じることを見出したと発表した。
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東京大学と東京工業大学らの研究グループは2016年12月20日、高速電子デバイスに使われるIII-V族化合物半導体（InAs）に鉄（Fe）原子を添加した混晶半導体(In,Fe)Asを作製し、(In,Fe)Asがn型で強磁性を示すと同時にその伝導帯（電子キャリアが存在するエネルギー帯）に大きな自発的スピン分裂が生じることを見出したと発表した。
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