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 米Intel Corp.と米Micron Technology,Inc.は,シンガポールにNANDフラッシュ・メモリの製造工場を建設する計画があることを発表した。300mmウエハー工場になり,2007年前半に着工する。稼働は2008年後半の予定で,50nm世代のプロセス技術を使う。この製造工場は,両社が設立する合弁会社を通じて建設する。

 Intel社とMicron社は,NANDフラッシュ・メモリの開発・製造合弁会社であるIM Flash Technologies社を2006年1月に設立した。現在はMicron社の米国ボイジの半導体工場でNANDフラッシュ・メモリを製造している。そして,2007年初頭の量産開始を目指して,米国バージニア州Manassasと米国ユタ州Lehiの2ヵ所で,300mmウエハー工場を現在立ち上げ中である。今回発表したシンガポールの工場は,IM Flash Technologies社にとって,4拠点目となる。

 これに加えて,両社は,業界に先駆けて50nm世代の製造技術に基づく4GビットNANDフラッシュ・メモリのサンプル出荷を2006年7月に開始したことも明らかにした。50nm世代のNANDフラッシュ・メモリについては,多値品を含む幅広い製品群の生産を2007年に始める予定である。