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 米IBM,シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing,韓国Samsung Electronics,ドイツInfineon Technologies,米Freescale Semiconductorの5社は32nmルールによるLSI製造プロセスの共同開発に取り組み,量産でも協調する。5社がそれぞれ現地時間5月23日に明らかにしたもの。

 この共同開発は,「Common Platform」と呼ぶLSI製造“共通プラットフォーム”で提携しているIBM,Chartered,Samsungの3社に,InfineonとFreescaleが協力して実施する(関連記事)。

 5社は,32nmルールに対応するCMOS製造プロセス技術と同技術用のプロセス・デザイン・キット(PDK)を開発し,量産に適用する。期間は2010年までの予定。

 開発作業は,ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBMの300mmウエーハ対応工場で行う。高誘電率(high-k)絶縁膜,金属ゲート電極,歪み技術,超低誘電率(ELK)絶縁膜,液浸リソグラフィ技術などを採用する。

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