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 仏伊合弁のSTMicroelectronicsと米IBMは現地時間7月24日,半導体の開発,製造で使われる次世代プロセス技術を共同開発することで合意した,と発表した。両社の協業には,32ナノメータ(nm)と22nmのCMOSプロセスの技術開発,300mmのウエーハ製造への応用に向けた研究のほか,中核となるバルクCMOS技術やシステム・オン・チップ(SoC)技術の共同開発などが含まれる。

 両社は,互いの開発施設内に技術開発チームを置くことでも合意している。バルクCMOS技術の開発では,米ニューヨーク州にあるIBMの2カ所の半導体研究開発センターにSTの研究開発チームを設置。STの300mmウエーハ研究開発および製造施設があるフランスのクロルには,IBMが研究開発チームを設置する。ここでは,両社が組み込みメモリー,アナログやRF(高周波信号)など,付加価値の高い派生技術の共同開発に取り組む。

 両社が共同で開発したプロセスは,STのクロルにある300mmウエーハ製造施設で量産に向けて投入される。また,Common Platformで提携する製造業者の300mmウエーハ製造施設にも導入される。

 STは同日,2007年第2四半期の決算を発表した。売上高は前年同期比3.1%減の24億1800万ドルだった。前期からは6.2%増収となった。純利益は前年同期の1億6800万ドル(希薄後の1株あたり利益は18セント)から赤字に転じ,7億5800万ドルの純損失(同1株あたり損失は84セント)を計上している。

発表資料(1)
発表資料(2)