PR

 東芝と米IBMは,32nmルールによるCMOS半導体の製造プロセスを共同で研究開発する契約を締結した。

 IBMは,既に米AMD,シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing,米Freescale Semiconductor,ドイツInfineon Technologies,韓国Samsung Electronicsの5社と共同で開発作業に取り組んでおり,東芝もこのグループに加わる(関連記事:IBMなど,32nm向けhigh-k絶縁膜/金属ゲート電極の新製造手法を開発,2009年後半に導入)。

 東芝とIBMは,2005年12月よりニューヨーク州ヨークタウンおよびアルバニーの施設で32nm世代以降向け製造プロセス技術の基礎研究を行っていた。両社は提携関係を強化し,これまでの研究成果を32nmバルクCMOSまで広げる。

 米メディア(CNET News.com)によると,IBMを中心とする7社は2010年まで共同で研究開発を行う予定。また,東芝は32nm向け量産技術の開発作業についてNECエレクトロニクスと提携している。

[発表資料へ]