PR

 韓国Samsung Electronicsは現地時間2009年2月3日,40nm級の製造プロセス・ルールを適用した1GビットDDR2 DRAMチップと1GバイトDDR2 SODIMM型メモリー・モジュールを発表した。すでに米Intelのノート・パソコン向けチップセット「Mobile Intel GM45 Express」対応品として「Intel Platform Validation」認定を取得している。

 40nmプロセスに移行することで,従来の50nmプロセスに比べ,生産性を約60%向上させ,消費電力を約30%低減できる。また,製品開発に要する期間を50%短縮し,1年で市場投入が可能になったとしている。

 同社は2009年中に,量産用の2GビットDDR3 DRAMに40nmプロセス技術を適用する予定。また,DDR4 DRAMへの適用にも取り組む。