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 携帯電話向け低消費電力疑似スタティックRAM(PSRAM)の仕様「CellularRAM」の共同開発グループに,韓国のHynix Semiconductor,米NanoAmp Solutions,台湾のWinbond Electronicsが参加する。同グループのメンバーであるドイツのInfineon Technologies,米Cypress Semiconductor,米Micron Technologyが米国時間8月29日に発表した。

 同グループによれば,CellularRAMは,将来の第2.5世代(2.5G)および第3世代(3G)携帯電話で必要とされるメモリー容量と帯域幅の高まる需要に応える設計となっている。

 「新たに3社が参加することで,マルチソース,低消費電力,高性能のニーズに対応した標準化製品を顧客に提供するという,当グループの目的を推進する」(同グループ)

 同グループはすでに16~256Mビットのデバイス向け仕様を3版策定しており,現在第4版の策定に取り組んでいる。広帯域ベースバンドおよびアプリケーション・プロセサの利用に向けた,いっそうの最適化を図るとしている。

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