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 米Intelは,65nmプロセスに適用する超低消費電力技術の開発を進めている。Intel社が米国時間9月20日に明らかにしたもの。プロセサ内にある各トランジスタの漏れ電流量を1000分の1に低減することで,省電力化を目指す。

 65nm版の超低消費電力プロセスは,同社の第2世代65nmプロセス技術に相当するという。同社は,ゲート酸化膜下を流れるサブスレッショルド漏れ電流,ソース/ドレインおよびゲート酸化膜からの漏れ電流を少なくすることでトランジスタの漏れ電流を減らし,プロセサの省電力化を実現する。

 Intel社上級フェロー兼プロセス・アーキテクチャ&集積担当ディレクタのMark Bohr氏は,「プロセサ内のトランジスタが10億個を超える状況では,トランジスタ単体の改良がプロセサ全体として大きなメリットにつながる」と説明する。「65nm版の超低消費電力プロセスで試作したLSIは,トランジスタの漏れ電流が当社の標準プロセス品に比べ約1000分の1になった。この製造プロセスによるプロセサを搭載した機器は,大きな省電力効果が期待できる」(同氏)

 米メディアの報道(CNET News.com)によると,新しい65nm版の超低消費電力プロセスは,2006年リリース予定のマルチ・コア・モバイル向けプロセサ「Merom」で採用し,2007年には同社製プロセサの多くに適用する計画という。

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