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 米SanDiskからの申し立てに応じ,米国際貿易委員会(ITC)は仏伊合弁STMicroelectronicsによる特許侵害の有無に関する調査を開始した。SanDiskが米国時間2月10日に明らかにしたもの。同社はSTMicroelectronicsのNOR型およびNAND型フラッシュ・メモリーに特許を侵害されたと主張し,輸入と米国での販売差し止めを求めている。

 問題の特許は以下の3件。

・米国特許番号は5,172,338,タイトルは「Multi-state EEprom read and write circuits and techniques」で,1990年4月11日に申請し,1992年12月15日に成立した。47件のクレームから成る。

・米国特許番号は5,991,517。タイトルは「Flash EEprom system with cell by cell programming verification」。1996年12月20日に申請し,1999年11月23日に成立した。39件のクレームから成る。

・米国特許番号は6,542,956。タイトルは「Latched address multi-chunk write to EEPROM」。2000年8月21日に申請し,2003年4月1日に成立した。12件のクレームから成る。

 SanDiskによると,STMicroelectronicsの2値および多値のNOR/NAND型フラッシュ・メモリー製品が調査対象という。

 なおSanDiskはSTMicroelectronics社による特許侵害があったとして,2004年10月(5,172,338特許)と先ごろ(5,991,517/6,542,956特許)カリフォルニア州北部地区連邦地方裁判所に提訴している。

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