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 米Intelは米国時間4月4日に,65ナノメートル(nm)製造プロセス・ルールを利用したNOR型フラッシュ・メモリーを2006年第2四半期中にサンプル出荷する計画を明らかにした。メモリー・セルの高密度化により,1Gビットのデータ格納が可能という。

 65nmNOR型フラッシュ・メモリーは,90nm製品と共通のアーキテクチャを採用しているため,「携帯電話メーカーは容易に65nm製品に移行できる」(同社)。90nmのNOR型フラッシュ・メモリーは,単一ダイの記憶密度が256Mビットおよび512Mビットで,複数ダイをスタックすることにより最大1Gビットの記憶容量を実現していた。

 米メディアの報道(InfoWorld)によると,同社の90nmフラッシュ・メモリーは,1Mピクセルの画像なら250枚,4Mピクセルの画像なら80枚を保存できたが「65nmフラッシュ・メモリーはその2倍の容量を保存可能」(Intel社NOR型フラッシュ部門マーケティング担当ディレクタのAllen Holmes氏)という。65nmフラッシュ・メモリーのOEM向けの出荷は2006年第4四半期を見込んでおり,「米AMDと富士通の合弁企業であるSpansionや韓国のSamsungより半年以上早い投入となる」(Intel社)。

 ちなみに,Samsung社は,70nm製造プロセス・ルールを利用したOneNAND型フラッシュ・メモリーが量産体制に入ったことを,現地時間4月4日に発表している。

[発表資料(Intel社のプレス・リリース)]
[発表資料(Samsung社のプレス・リリース)]