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　米IBMとジョージア工科大学は，絶対温度4.5K（華氏−451度，摂氏−268度）という極低温環境において，動作周波数500GHz以上でシリコン・ゲルマニウム（SiGe）半導体を動かすことに成功した。IBM社とジョージア工科大学が米国時間6月20日に明らかにしたもの。Siベースの半導体の動作速度としては，世界最高記録という。

　SiGe半導体は，現在広く使われているSi製半導体に比べ高速に動作し，消費電力が少ない。この種の高性能半導体にはIII-V族化合物半導体もあるが，「SiGe半導体が現行の低コストな製造プロセスで作れるのに対し，III-V族化合物半導体は製造コストが高い」（IBM社，ジョージア工科大学）。

　500GHz動作に成功したSiGe半導体の試作品は，IBM社が200mmウエーハ上で作製した。室温でも約350GHzで作動するという。IBM社とジョージア工科大学は試作品に適用したSiGe技術をシミュレーションし，「最終的には室温で動作周波数1テラHz（1000GHz）弱が実現可能」と見込んでいる。

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