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 米Intelと米Micron Technologyは米国時間7月25日,50nm(ナノメーター)プロセス技術で製造した4GビットのNANDフラッシュ・メモリーのサンプル出荷を開始した。サンプルは,両社が共同で設立した合弁会社IM Flash Technologies(IMFT)が製造したもの。2007年に量産体制に入る見通しだという。

 両社が引用した調査資料によれば,NAND市場は2006年に130億~160億ドル規模に達すると予測。また,2010年までに250億~300億ドル規模に成長するという。

 Micronのメモリー担当副社長のBrian Shirley氏は,「当社は2004年に90nmプロセスでNAND事業に参入した。Intelとのコラボレーションを通じて,短期間で最先端のプロセス技術をベースとした製品を提供する体制を整えることができた」とコメントしている。

 IntelとMicronは2006年1月,両社のNANDフラッシュ・メモリー製造だけを請け負うIMFTを設立した。同社は,「NANDフラッシュ・メモリー開発に関するMicronのノウハウと稼働効率に優れた設備,Intelのマルチ・レベル・セル(MLC)技術とフラッシュ・メモリー事業の経験を組み合わせることを目的として設立した」と説明している。

 同社は現在,Micronのアイダホ州ボイジーの施設においてNANDフラッシュ・メモリーを製造している。ボイジーに続き,年内にバージニア州マナサス,2007年初旬にはユタ州リーハイの300nm製造施設で製造を開始する。

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