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 米Silicon Storage Technology(SST)と台湾のTaiwan Semiconductor(TSMC)は現地時間8月21日,90ナノメートル(nm)製造プロセス・ルールを利用した組み込み型フラッシュ・メモリーの技術開発とライセンスに関して契約したことを発表した。

 契約により,TSMCはSSTから90nm向けのフラッシュ・メモリー技術「SuperFlash」のライセンス供与を受け,同社の組み込み型フラッシュ・メモリーのポートフォリオの一部として提供する。2007年にサンプル出荷の開始を予定している。

 SSTの90nmプロセスのSuperFlashは,スプリット・ゲート型でソース・サイド注入方式のメモリー・セルを採用。64ビット・マイクロコントローラ(MCU)コア,高速ASIC(特定用途向けIC),マルチメディア向けICといった用途のニーズに対応しているという。

 調査会社の米WebFeet Researchによれば,組み込み型フラッシュ市場は年間成長率14.4%で拡大し,2011年までに67億ドル規模に達するという。

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