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 韓国のSamsung Electronicsは,80nm(ナノ・メートル)プロセス技術による1GビットのDDR2規格DRAMメモリーの量産を開始した。同社が現地時間8月29日に明らかにした。現行の90nmプロセス技術による1GビットのDDR2と比べて,生産効率を高めながらコストを抑えて製造できるという。

 80nmプロセス技術で製造する1GビットのDRAMパッケージのサイズは11×11.5ミリで「世界最小」(同社)となる。現行の90nmプロセスで製造する1Gビット・チップの約半分となり,512MビットのDRAMとほぼ同じサイズとなる。

 同社によれば,現在多くの1GビットのDRAMチップは,4GバイトのDIMMや2GバイトのSODIMMといった次世代サーバー向けのDRSMモジュール内で重ねて使用されている。サイズの縮小により重ねる必要がなくなれば,製造プロセスの簡略化,生産コストの削減,電気特性の向上が図れるとしている。

 Samsungは,2006年3月に512MビットのDDR2 DRAMの製造に初めて80nmプロセス技術を導入した。今回の同技術による1GビットDRAMの量産を開始したことにより,すべての容量のDRAM製造プロセスに80nm技術を導入するようになった。

 米調査会社のGartnerによれば,2006年の世界のDRAM市場が287億ドル規模に成長し,2008年までに378億ドル規模に達するという。同市場における1GビットDRAMのシェアは現在8%だが,2008年には36%まで拡大すると予測している。

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