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 韓国のSamsung Electronicsは,50nmの製造プロセス・ルールで記憶容量1GビットのDDR2 DRAMチップを「業界で初めて」(同社)開発した。Samsungが韓国で現地時間10月18日に明らかにしたもの。現行の60nmプロセスに比べ,55%の製造効率向上が見込めるという。

 このDRAMは3次元(3D)構造を持つ選択エピタキシャル成長(SEG)トランジスタを採用し,電子の通過するチャネルを広げることで,高速化と省電力化を実現した。このSEGトランジスタには,酸化ジルコニウム(ZrO2)/酸化アルミニウム(Al2O3)/ZrO2という多層構造の誘電体層を設けた。

 さらにSamsungの開発した3Dトランジスタ構造「Recess Channel Array Transistor(RCAT)」により,DRAMのリフレッシュ・レートを2倍に伸ばしたという。

 50nm版DRAMの量産は2008年に開始する。Samsungでは「(50nm版DRAMは)2011年に550億ドル規模になると予想されるDRAM市場の中心的存在になる」とみる。

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