米Intelと米Micron Technologyは米国時間11月6日，両社の合弁会社であるIM Flash TechnologiesがシンガポールにNANDフラッシュ・メモリーの製造工場を建設すると発表した。来年の上半期に着工し，製造開始は2008年下半期を予定する。新工場では当初，300mmウエーハに50nm製造技術を用いる計画である。
IM Flash Technologiesは，両社が今年1月に設立（関連記事）。すでに，バージニア州マナサスとアイダホ州ボイジーで300mmウエーハ工場を稼働させているほか，来年初頭にはユタ州リーハイでもメモリー製造を開始する。シンガポールの工場は，同社が建設する4番目の工場となる。
Micron会長兼CEOのSteve Appleton氏は，「Micronはシンガポールで長年ビジネスを展開してきた。また，高度な技術と優れた人材を備え，インフラも整備された国である。新工場の設立には理想的」と述べている。
両社は今年7月，50nmルールで開発したNANDフラッシュ・メモリーのサンプルを出荷した。また現在は，50nmルールによる4Gビットのメモリーをサンプル出荷しており，2007年から広範な製品を開発する予定である。
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