PR
写真1●米Intelと米Micron Technologyが発表した「3D XPoint」
写真1●米Intelと米Micron Technologyが発表した「3D XPoint」
[画像のクリックで拡大表示]

 米Intelと米Micron Technologyは2015年7月28日(米国時間)、新方式の不揮発性メモリーである「3D XPoint」(写真1)を発表した。現在主流の不揮発性メモリーである「NAND」方式のフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、DRAMよりも記録密度が10倍高いとしている。

 現在様々なメモリーメーカーが、DRAM並みに高速でありながら、フラッシュメモリー同様に電源をオフにしてもデータが消えないという「不揮発性」を持つ新世代不揮発性メモリーの開発を進めている(関連記事:“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する)。今回、IntelとMicronが発表した3D XPointも、そのような新世代不揮発性メモリーの一つと位置付けられる。両社は3D XPointの用途として、機械学習やストリーミング処理などを挙げている。2015年内にサンプル出荷を開始し、両社がそれぞれ製品を販売する。

 これまでのフラッシュメモリーが、メモリーセルに「電荷」を蓄えることでデータを表していたのに対して、新世代不揮発性メモリーはメモリーセルの「抵抗値」を変えることでデータを表す。その方式としては、「相変化膜」をヒーターによって加熱することで抵抗値を変化させる「PCM(相変化メモリー)」や、「強磁性電極」の磁化の向きを変えることで抵抗値を変化させる「STT-MRAM(スピン注入型磁気記録メモリー)」、「金属酸化膜」に電圧を加えることで抵抗値を変化させる「ReRAM(抵抗変化型メモリー)」などが知られている。

 IntelとMicronは3D XPointの方式や材料などを発表していないが、メモリーセルに送る電圧を変えることでデータの読み書きなどを行うと説明している。3D XPointはデータを表すメモリーセルと、メモリーセルを流れた電流を読み取るセレクターが対になった構造で、メモリーセルとセレクターは垂直方向に積み重ねられる(写真2)。

写真2●「3D XPoint」の構造
写真2●「3D XPoint」の構造
[画像のクリックで拡大表示]

 IntelとMicronはまず、メモリーセルとセレクターを2層にした製品を出荷する予定。メモリーのダイ1個当たりの容量は128ギガビットとなる。将来的にはメモリーセルとセレクターの層を増やすことで、記録密度を向上できるとしている。