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 米Intelと大日本印刷は、0.13μmルールの半導体製造に用いるフォトマスク技術を共同開発中であることを明らかにした。Intel社は2000年中にマイクロプロセサの製造技術を0.18μmルールに全面移行する計画を立てているが,その次の世代では0.13μmを利用する。同社では,2001年には実用化したいとしている。

 なお同社は,2002年をメドにウエーハの寸法を既存の200mm(8インチ)から300mmに拡大する予定である。既存の200mmウエーハに比べて,面積が2.25倍,1枚のウエーハからとれるチップの数が2.4倍になり,30%のコスト削減が図れるという。

 300mmウエーハには,0.13μmルールの半導体製造技術と銅(Cu)配線技術を適用する。0.13μmルールへの移行は2001年なので,その1年後に300mmウエーハに移ることになる。300mmウエーハの開発は,オレゴン州にある同社のD1Cと呼ぶファブで行われており,2000年はじめには300mmウエーハ向けの製造装置を設置するという。Intel社は今後数年間に,このファブに12億ドルを投じる。

 大日本印刷は今回の共同開発の成果をもとに、Intel社以外の半導体メーカにも0.13μm対応のフォトマスクを販売することができる。

 このほかIntel社の製造技術に関しては,「銅配線採用にようやく踏み切ったIntel,今後のIA-32/IA-64を占う」に詳しいので参照されたい。