IBMが高速な半導体技術で攻勢をかけてきた。昨年来,銅配線を使った高速・低消費の半導体技術を前面に押し出していたが,今日はSOI(silicon-on-insulator:シリコン/絶縁膜構造)」半導体プロセスの量産技術を確立したと発表した(写真)。動作周波数が35%高く,消費電力が1/3のLSIが開発可能になる。

IBMのSOI

 すでにEast Fishkillのパイロット・プラントでサンプル品が完成しており来年前半にはBurlington工場の量産ラインに導入する予定である。

 S/390,AS/400,RS/6000向けのLSIやPowerPCにSOI技術を使っていく。消費電力が小さい特徴を生かせば,PDAや携帯電話などへのイ 用もできるとしている。ウォールストリート・ジャーナル紙によると,SOI関連で約30件の特許をIBMは取得している。

 SOIは絶縁膜の上にSi単結晶の層を設け,寄生容量を減らす技術。高速で消費電力の小さい半導体を製造できる。ただし製造工程が複雑なためコスト面で問題があり,人工衛星やミサイルなど,コストをさほど問題としない用途で使われていた。

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