IBMのLSI高速化技術 米IBMが米国時間6月8日に,半導体の原材料であるシリコンに手を加え,半導体の処理速度を最大35%高めることができる技術を開発したことを明らかにした。

 「Strained Silicon」と呼ぶこの技術は,シリコンを引き伸ばす(strain)ことによりトランジスタを流れる電子の速度を高め,半導体の消費電力を抑えつつ処理速度を引き上げることが可能という。IBM社はこの技術を利用した半導体を2003年に製品化する計画である。

 新技術は原子が互いに整列しようとする性質を利用し,シリコンの原子間隔を広げて基盤上に乗せる。原子が引き伸ばされたシリコンでは,電子が受ける抵抗が減少し,電子の移動速度が最大70%向上する。これによってトランジスタを小型化することなく,半導体の処理速度を最大35%高めることができる。

 「IBM社は半導体技術で業界の他の企業より1~2年先んじている」(IBM社IBM Microelectronics事業半導体開発部門副社長のBijan Davari氏)。

 半導体技術は,LSIのトランジスタ数が18カ月で2倍になるという「ムーアの法則」通り進歩してきた。しかしトランジスタの厚さは原子のレベルに近づいており,単なる小型化を進めることは不可能になる。

 新技術は,既存の半導体製造技術に取り入れることができる。また,IBM社のシリコン/絶縁膜構造(silicon-on-insulator:SOI)技術と組み合わせることにより,さらに高い処理能力が期待できるという。

 IBM社は,6月13日に京都で開催されるシンポジウム「Symposium on VLSI Technology in Kyoto」にて新技術の詳細を発表する予定である。

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