韓国のSamsung Electronicsが,DDR2メモリー技術をベースとする記憶容量1Gバイトのメモリー・モジュール,Fully Buffered Dual In-line Memory Module(FB-DIMM)を現地時間11月25日に発表した。量産は2005年第1四半期に開始する。

 現在のメモリー・モジュールは,メモリー・バスの高速化の影響でチャネル当たりの転送レートが下がり,チャネル速度を上げると容量に限界が生ずるという。

 FB-DIMMでは,1対1のリンクを設けて複数のメモリー・モジュールと特定のチャネルを直列接続することで,“スタブ・バス”構造のチャネルで発生するボトルネックを解消している。各モジュールにバッファを設けることからFB-DIMM(完全バッファ型DIMM)と呼ぶ。このバッファにより,DRAMの6倍に相当する3.2G~4.8Gbpsという速度が実現できる。

 「FB-DIMMは,従来のRegistered DIMMの性能限界を破れる新しい構造のメモリー・モジュールだ。容量と帯域幅を大幅に高め,サーバーやワークステーションのデータ処理速度の向上に貢献する」(Samsung社)

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