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 米Intelが,マルチ・レベル・セル(MLC)技術を適用した組み込み機器向けNOR型フラッシュ・メモリー製品系列「Intel StrataFlash Embedded Memory」を4月7日に発表した。64M~1Mビットの製品を用意する。

 同フラッシュ・メモリーは,1つのセルに2ビットのデータを格納可能なマルチ・レベル・タイプ。ダイ・サイズが小さくなり,高集積化できた。初期アクセス・タイムは85n秒で,それ以降のバス速度は20n秒。

 「当社の実績ある第4世代MLC技術により,組み込み機器市場の顧客に優れた価格性能比を提供できる。StrataFlash Embedded Memoryは,当社製品のなかでビット当たりの価格が最も安い。組み込み製品の開発者にとっては,高速アクセス,高い安全性,バッテリ駆動製品に有利な低電圧といった特徴が魅力だ」(Intel社フラッシュ製品グループ担当副社長兼ジェネラル・マネージャのDarin Billerbeck氏)

 64M~512Mビットの製品は,2005年第2四半期に利用可能とする。ロイヤルティ・フリーの同社製フラッシュ・メモリー用データ/ファイル管理ソフトウエアと組み合わせて使用できる。1Gビット製品は2005年後半にリリースする予定。いずれの製品も,通常の鉛使用パッケージに加え,無鉛パッケージを用意する。

 米メディアの報道(internetnews.com)によると,同フラッシュ・メモリーの型番は「P30」で,開発コード名は「Sixmile」。製造プロセスは130nmルールという。

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