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タイトルＮＥセレクション　パワー半導体：最終回　ＲＡＦ法をガス結晶成長法で高速化　低価格なＳｉＣウエハーの実現へ
掲載誌日経エレクトロニクス2014/01/06号
（82～86ページ掲載）
ページ数5
要約　次に、結晶成長の一例を示す。前ページの図3は、結晶内の温度勾配と成長結晶近傍でのガス分圧と結晶性の関係を示したものである。SiC合成は発熱反応であるため、成長を維持するためには成長した結晶を通して種結晶側に熱輸送し、冷却する必要がある。

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