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タイトルBreakthrough ムーアの法則、EUVで再起動へ:〔第3部:EUV対抗のダークホース〕 実用化間近のナノインプリント、2019年にも3D NAND量産
掲載誌日経エレクトロニクス2017/09号
(38~41ページ掲載)
ページ数4
要約 NILは数年前までは、パターニングの際の欠陥が多く、とても半導体製造に利用できる技術ではなかった。現在は多くの課題が改善し、NANDフラッシュメモリーでの実用化レベルに向上しつつある。具体的には、(1)ウエハー上の塵の数、(2)テンプレートやウエハー…

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