ダウンロード用誌面PDFの詳細情報
| タイトル | Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ デバイス：Ｓｉ ＩＧＢＴがＳｉＣに肉迫 素子構造や駆動法の改善で |
|---|---|
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス2017/09号 （65～70ページ掲載） |
| ページ数 | 6 |
| 要約 | 中でも、SiCパワーデバイスに迫る性能を実現したSi IGBTを開発したのが、日立製作所である。新しい構造を導入することで、スイッチのオン（ターンオン）やオフ（ターンオフ）の際に生じる電力損失を、いずれも約3割削減できる。 電力損失を削減できる理由は… |
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