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| タイトル | Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ：新構造のＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴで実現 低抵抗と高い短絡耐性を両立：三菱電機が試作、ソースに新領域を設ける |
|---|---|
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス2017/11号 （24～25ページ掲載） |
| ページ数 | 2 |
| 要約 | Si IGBTに比べて、インバーターといった電力変換器で生じる電力損失を大幅に削減できるSiC MOSFET。だが、SiC MOSFETの潜在力を引き出す上で、「積年の課題」があった。三菱電機はその解決にメドを付けた。 |
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